NSBC115EDXV6T1G

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Parte del produttore

NSBC115EDXV6T1G

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - bipolare (bjt) - array, pre-polarizzati
Serie
-
Disponibile
8948000
Schede tecniche in linea
NSBC115EDXV6T1G PDF
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo a transistor:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • corrente - collettore (ic) (max):100mA
  • tensione - guasto collettore emettitore (max):50V
  • resistenza - base (r1):100kOhms
  • resistenza - base emettitore (r2):100kOhms
  • guadagno di corrente cc (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
  • vce saturazione (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
  • corrente - interruzione del collettore (max):500nA
  • frequenza - transizione:-
  • potenza - max:500mW
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:SOT-563, SOT-666
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:SOT-563
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