ISL9R18120G2

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Parte del produttore

ISL9R18120G2

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
DIODE GEN PURP 1200V 18A TO247-2
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
10800
Schede tecniche in linea
ISL9R18120G2 PDF
Inchiesta
  • serie:Stealth™
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Last Time Buy
  • tipo di diodo:Standard
  • tensione - dc inversa (vr) (max):1200 V
  • corrente - media rettificata (io):18A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:3.3 V @ 18 A
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):70 ns
  • corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 1200 V
  • capacità @ vr, f:-
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto / custodia:TO-247-2
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-247-2
  • temperatura di esercizio - giunzione:-55°C ~ 150°C
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