JAN1N6761UR-1

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Parte del produttore

JAN1N6761UR-1

Produttore
Roving Networks / Microchip Technology
Descrizione
DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO213AB
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
diodi - raddrizzatori - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
JAN1N6761UR-1 PDF
Inchiesta
  • serie:Military, MIL-PRF-19500/586
  • pacchetto:Bulk
  • stato di parte:Active
  • tipo di diodo:Schottky
  • tensione - dc inversa (vr) (max):100 V
  • corrente - media rettificata (io):1A
  • tensione - avanti (vf) (max) @ se:380 mV @ 100 mA
  • velocità:Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • tempo di recupero inverso (trr):-
  • corrente - dispersione inversa @ vr:100 µA @ 100 V
  • capacità @ vr, f:70pF @ 5V, 1MHz
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto / custodia:DO-213AB, MELF (Glass)
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DO-213AB (MELF, LL41)
  • temperatura di esercizio - giunzione:-65°C ~ 150°C
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