SCTH40N120G2V7AG

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Parte del produttore

SCTH40N120G2V7AG

Produttore
STMicroelectronics
Descrizione
SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
0
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:Automotive, AEC-Q101
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:33A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):18V
  • rds su (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 18V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 18 V
  • vg (massimo):+22V, -10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 800 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):250W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:H2PAK-7
  • pacchetto / custodia:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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