SCT10N120H

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Parte del produttore

SCT10N120H

Produttore
STMicroelectronics
Descrizione
SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
33428
Schede tecniche in linea
-
Inchiesta
  • serie:-
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
  • drain to source tensione (vdss):1200 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:12A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):20V
  • rds su (max) @ id, vgs:690mOhm @ 6A, 20V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 20 V
  • vg (massimo):+25V, -10V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:290 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):150W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 200°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:H2Pak-2
  • pacchetto / custodia:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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