FCD3400N80Z

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Parte del produttore

FCD3400N80Z

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
108000
Schede tecniche in linea
FCD3400N80Z PDF
Inchiesta
  • serie:SuperFET® II
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):800 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:3.4Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 200µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:9.6 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 100 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):32W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:DPAK
  • pacchetto / custodia:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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