FDMS86202ET120

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Parte del produttore

FDMS86202ET120

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 120V 13.5/102A PWR56
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
18473000
Schede tecniche in linea
FDMS86202ET120 PDF
Inchiesta
  • serie:PowerTrench®
  • pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • stato di parte:Active
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):120 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13.5A (Ta), 102A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):6V, 10V
  • rds su (max) @ id, vgs:7.2mOhm @ 13.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:64 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±20V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4585 pF @ 60 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):3.3W (Ta), 187W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • tipo di montaggio:Surface Mount
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:Power56
  • pacchetto / custodia:8-PowerTDFN
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