FCPF165N65S3L1

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Parte del produttore

FCPF165N65S3L1

Produttore
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Categoria
prodotti a semiconduttori discreti
Famiglia
transistor - fet, mosfet - singoli
Serie
-
Disponibile
951
Schede tecniche in linea
FCPF165N65S3L1 PDF
Inchiesta
  • serie:SuperFET® III
  • pacchetto:Tube
  • stato di parte:Last Time Buy
  • tipo di piedi:N-Channel
  • tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
  • drain to source tensione (vdss):650 V
  • corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:19A (Tc)
  • tensione di azionamento (max rds acceso, min rds acceso):10V
  • rds su (max) @ id, vgs:165mOhm @ 9.5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4.5V @ 1.9mA
  • addebito del cancello (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
  • vg (massimo):±30V
  • capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1415 pF @ 400 V
  • caratteristica dei piedi:-
  • dissipazione di potenza (max):35W (Tc)
  • temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C
  • tipo di montaggio:Through Hole
  • pacchetto di dispositivi del fornitore:TO-220F-3
  • pacchetto / custodia:TO-220-3 Full Pack
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